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中国科学院半导体研究所机构知识库
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GaN 基LEDs 可靠性及失效机理的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
符佳佳
Adobe PDF(11637Kb)
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提交时间:2016/06/01
Gan基leds
可靠性评估
老化行为
失效分析
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang W
;
Huang BJ
;
Dong Z
;
Chen HD
;
Wang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. wangweiww33@semi.ac.cn
Adobe PDF(1575Kb)
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LJ
;
Zhang SM
;
Zhu JH
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Jiang DS
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: smzhang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/05
Optimized design on high-power GaN-based Micro-LEDs - art. no. 684108
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Fan, JM
;
Wang, LC
;
Guo, JX
;
Yi, XY
;
Liu, ZQ
;
Wang, GH
;
Li, JM
;
Fan, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, R&D Ctr Semicond Lighting, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(540Kb)
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浏览/下载:1776/454
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提交时间:2010/03/09
Gan-based Led
Micro-leds
Light Extraction Efficiency
Ray Tracing
Flip-chip
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HY
;
Yan, FW
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08