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高性能垂直外腔面发射激光器 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  邱小浪
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半导体纳米线和二类超晶格的电子结构和光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  郎晓丽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lang, XL;  Xia, JB;  Lang, XL (reprint author), CAS, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China,langxiaoli@semi.ac.cn;  xiajb@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XB;  Kou LZ;  Lang XL;  Xia JB;  Wang N;  Qin R;  Lu J;  Xu J;  Liao ZM;  Zhang XZ;  Shan XD;  Song XF;  Gao JY;  Guo WL;  Yu DP;  Guo, WL, Nanjing Univ Aeronaut & Astronaut, Inst Nanosci, Nanjing 210016, Peoples R China. E-mail Address: wlguo@nuaa.edu.cn;  yudp@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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2”直径的半绝缘磷化铟单晶 成果
1992
主要完成人:  刘巽琅;  叶式中;  赵建群;  焦景华;  曹惠梅
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磷化铟单晶  
集成电路用半绝缘砷化镓热稳定性和均匀性研究 成果
1991
主要完成人:  林兰英;  何宏家;  刘巽琅;  曹福年;  白玉珂
收藏  |  浏览/下载:1090/0  |  提交时间:2010/04/13
半绝缘砷化镓  
可控电参数的低位错磷化铟单晶制备 成果
1985
主要完成人:  叶式中;  刘巽琅;  刘思林;  孙同年;  焦景华
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磷化铟