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InAs/GaSb 超晶格长波红外焦平面器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  韩玺
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分子束外延  Inas/gasb超晶格  长波红外  焦平面  光电探测  
反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  黄文军
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Inas/gasb二类超晶格  反转型量子阱结构  电子迁移率  异质结光电晶体管  双色  
2-5 μm锑化物中红外探测器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  向伟
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锑化物 红外探测器 雪崩光电二极管 Inas/gasb超晶格 势垒探测器  
窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李俊斌
Adobe PDF(4822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:945/126  |  提交时间:2016/05/30
Inas/gasb异质结  背景载流子  双载流子霍尔模型  非平衡载流子寿命  时间分辨泵浦–探测反射率测量  光螺旋度依赖的光电流  
无权访问的条目 学位论文
作者:  王小耶
Adobe PDF(7460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:470/24  |  提交时间:2015/05/27
未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  李琼
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Inas/gasb二类超晶格  红外探测器  暗电流  中波  
HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者:  庞蜜
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Hgte/cdte 量子阱  Inas/gasb超晶格  Inas/gasb耦合量子阱  二维拓扑绝缘体  窄禁带半导体  电子态结构  磁光吸收谱  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YH;  Ma, WQ;  Cao, YL;  Huang, JL;  Wei, Y;  Cui, K;  Shao, J;  Ma, WQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China,wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YB;  Xu Y;  Zhang Y;  Yu X;  Song GF;  Chen LH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo J;  Peng ZY;  Sun WG;  Xu YQ;  Zhou ZQ;  Niu ZC;  Guo J NW Polytech Univ Xian 710000 Shaanxi Peoples R China. E-mail Address: jieggg1020@sina.com
Adobe PDF(484Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1014/294  |  提交时间:2010/03/08