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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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张书明 [3]
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期刊论文
作者:
Zhou GY (Zhou G. Y.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Tang CG (Tang C. G.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Zhou, GY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:945/295
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提交时间:2010/12/05
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)
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浏览/下载:1571/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu XF (Zhu Xianfang)
;
Zhu, XF, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Low Dimens Nanostruct, Xiamen 316005, Peoples R China. E-mail: xianfangzhu@hotmail.com
Adobe PDF(148Kb)
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浏览/下载:712/218
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, XF (Zhu, Xianfang)
;
Wang, ZG (Wang, Zhanguo)
;
Zhu, XF, Univ Illinois, Mat Res Lab, Urbana, IL 61801 USA. 电子邮箱地址: zhux@xmu.edu.cn
;
zgwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:888/138
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang Y
;
Wang H
;
Sun Q
;
Chen J
;
Wang JF
;
Wang YT
;
Yang H
;
Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1090/279
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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浏览/下载:1574/630
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Shen XM
;
Feng G
;
Liu JP
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1075/349
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Shen XM
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1517/587
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提交时间:2010/08/12
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1452/300
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提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12