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Electroabsorption modulated DFB lasers fabricated by IFVD-QWI technology 期刊论文
Journal of Optoelectronics Laser, 2013, 卷号: 24, 期号: 8, 页码: 1451-1455
Authors:  Zhang, Can;  Zhu, Hong-Liang;  Liang, Song;  Han, Liang-Shun;  Huang, Yong-Guang;  Wang, Bao-Jun;  Wang, Wei
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High Response in aTellurium-Supersaturated Silicon Photodiode 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 036101
Authors:  Wang Xi-Yuan;  Huang Yong-Guang;  Liu De-Wei;  Zhu Xiao-Ning;  Zhu Hong-Liang
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Direct observation of excitonic polaron in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文
EPL, 2010, 卷号: 90, 期号: 3, 页码: Art. No. 37004
Authors:  Gong M (Gong Ming);  Chen G (Chen Geng);  He LX (He Lixin);  Li CF (Li Chuan-Feng);  Tang JS (Tang Jian-Shun);  Sun FW (Sun Fang-Wen);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Huang SS (Huang She-Song);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Guo GC (Guo Guang-Can);  Gong, M, Univ Sci & Technol China, CAS, Key Lab Quantum Informat, Hefei 230026, Peoples R China. 电子邮箱地址: helx@ustc.edu.cn;  cfli@ustc.edu.cn
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Phonon Coupling Regime  
光子晶体环形谐振腔异质结构超微多路光分束器 期刊论文
光子学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 7, 页码: 1198-1202
Authors:  郭浩;  方利广;  吴小华;  于天宝;  廖清华;  黄永箴
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具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  黄永光;  朱小宁;  刘德伟;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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一种制作发射极环绕型太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-17
Inventors:  朱洪亮;  朱小宁;  黄永光
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一种制作金属环绕型太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
Inventors:  朱洪亮;  黄永光;  朱小宁
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在硅片上制作八边形微孔的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
Inventors:  黄永光;  王熙元;  刘德伟;  朱小宁;  王宝军;  朱洪亮
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