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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Yan, JD
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Hou, X
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin, Defeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Kang, He
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Chen, Hong
;
Deng, Qingwen
;
Bi, Yang
;
Zhang, Jingwen
;
Hou, Xun
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浏览/下载:591/150
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Pan, X
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Jiang, LJ
;
Yin, H
;
Chen, H
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提交时间:2013/01/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin DF (Lin D. F.)
;
Wang XL (Wang X. L.)
;
Xiao HL (Xiao H. L.)
;
Wang CM (Wang C. M.)
;
Qiang LJ (Qiang L. J.)
;
Feng C (Feng C.)
;
Chen H (Chen H.)
;
Hou QF (Hou Q. F.)
;
Deng QW (Deng Q. W.)
;
Bi Y (Bi Y.)
;
Kang H (Kang H.)
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提交时间:2012/02/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin DF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Chen H
;
Hou QF
;
Deng QW
;
Bi Y
;
Kang H
;
Lin, DF (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dflin@semi.ac.cn
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1320/370
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, J (Liu, J.)
;
Li, L (Li, L.)
;
Liu, S (Liu, S.)
;
Liu, M (Liu, Min)
;
Wang, YG (Wang, Y.-G.)
;
Liu, J, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China.
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浏览/下载:952/230
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提交时间:2010/03/29
Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Zeng YP
;
Wang ZG
;
Ye XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xlye@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1511/258
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提交时间:2010/10/29
Short-period Superlattices
Raman-scattering
Quantum-wells
Growth
Roughness
Segregation
Alas/gaas
Alas
Gaas
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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浏览/下载:1424/301
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps