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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ying J (Ying J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Tan HR (Tan H. R.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZG;  Gao F;  Li JB;  Zu XT;  Weber WJ;  Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan YM;  Zhang XW;  You JB;  Tan HR;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xing-Wang);  You JB (You Jing-Bi);  Chen NF (Chen Nuo-Fu);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye F;  Wang BS;  Su ZB;  Ye, F, Tsing Hua Univ, Ctr Adv Study, Beijing 100084, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Yin H;  Boyen HG;  Ziemann P;  Ozawa M;  Zhang, XW, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, CAS,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li MW;  Hu WR;  Chen NH;  Zeng DL;  Tang ZM;  Li MW,Chongqing Univ,Inst Power Engn,Chongqing 400044,Peoples R China.
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Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gaas  Outer Space  Microgravity  Integrated Circuit  Semiinsulating Gallium-arsenide  Lec-gaas  Defects  Stoichiometry  Segregation  Carbon  Boron  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Xie X;  Zhang M;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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