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中国科学院半导体研究所机构知识库
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学位论文
作者:
黄宇亮
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提交时间:2016/06/06
宽禁带半导体材料光学性质的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
刘雅丽
Adobe PDF(5504Kb)
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浏览/下载:1274/64
  |  
提交时间:2016/06/03
Algan/algan 量子阱
Gan/aln量子点
半导体金刚石
深紫外光致发光
激子-声子作用
激子局域化
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:
赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)
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浏览/下载:837/78
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提交时间:2016/06/01
Algan/gan Hfet
特征导通电阻
击穿电压
增强型器件
阈值电压
Al(Ga)N材料光致发光性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:
王维颖
Adobe PDF(4605Kb)
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浏览/下载:1109/89
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提交时间:2014/06/03
Algan
深紫外光致发光
高温热退火
Gan/algan量子阱
界面粗糙
偏振特性
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Deng QW
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
;
Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Yang CB
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1262/270
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1320/370
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, L
;
Wei, XC
;
Liu, NX
;
Lu, HX
;
Zeng, JP
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Zhang, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,zhanglian07@semi.ac.cn
Adobe PDF(1398Kb)
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浏览/下载:1305/411
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
;
Lin, ZJ, Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China. linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:1260/387
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi K
;
Liu XL
;
Li DB
;
Wang J
;
Song HP
;
Xu XQ
;
Wei HY
;
Jiao CM
;
Yang SY
;
Song H
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Shi, K, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
;
lidb@ciomp.ac.cn
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提交时间:2011/07/05