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GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang W (Yang Wei);  Luo HH (Luo Hai-Hui);  Qian X (Qian Xuan);  Ji Y (Ji Yang);  Yang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH;  Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, LC;  Wang, XL;  Wang, CM;  Mao, HL;  Ran, JX;  Luo, WJ;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Fang, CB;  Hu, GX;  Guo, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lcguo@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Wang CM (Wang Cuimei);  Hu GX (Hu Guoxin);  Mao HL (Mao Hongling);  Fang CB (Fang Cebao);  Wang JX (Wang Junxi);  Ran JX (Ran Junxue);  Li HP (Li Hanping);  Li JM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang, Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Hu GX (Hu Guoxin);  Ma ZY (Ma Zhiyong);  Ran JX (Ran Junxue);  Wang CM (Wang Cuimei);  Mao HL (Mao Hongling);  Tang H (Tang Han);  Li HP (Li Hanping);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Jinmin LM (Li Jinmin);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CM;  Wang XL;  Hu GX;  Wang JX;  Xiao HL;  Li JP;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Wang D;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures  In-doping  2deg  Electron Sheet Density  X-ray Diffraction  Etching  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Phase Epitaxy  Mobility  Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Fu RH;  Kong MY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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