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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Guang-Wei;   Wu Kun;   Chen Ye;   Li Lin-Xiang;   Zhang Si-Yuan;   Wang Zun-Gang;   Zhu Hong-Ying;   Zhou Chun-Zhi;   Zhang Yi-Yun;   Liu Zhi-Qiang;   Yi Xiao-Yan;   Li Jin-Min
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Juan Wang, Guo-Wei Wang, Ying-Qiang Xu, Jun-Liang Xing, Wei Xiang, Bao Tang, Yan Zhu, Zheng-Wei Ren, Zhen-Hong He, Zhi-Chuan Niu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shao YB (Shao Yong-Bo);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Yu HY (Yu Hong-Yan);  Qiu JF (Qiu Ji-Fang);  Qiu YP (Qiu Ying-Ping);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Wang W (Wang Wei)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Y (Wang Yang);  Qiu YP (Qiu Ying-Ping);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Wang W (Wang Wei);  Wang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangyang06@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng C (Zeng Chang);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Ji L (Ji Lian);  Wang HB (Wang Huai-Bing);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Cao Q (Cao Qing);  Chong M (Chong Ming);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Wang H (Wang Hai);  Shi YS (Shi Yong-Sheng);  Liu SY (Liu Su-Ying);  Yang H (Yang Hui);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Zeng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(802Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1337/419  |  提交时间：2010/12/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Zhao Q (Zhao Qian);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Ding Y (Ding Ying);  Wang BJ (Wang Bao-Jun);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang LF (Wang Lu-Feng);  Wang W (Wang Wei);  Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn
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准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  王书学;  朱洪亮
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偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  刘志宏;  张瑞英;  朱洪亮;  王鲁蜂
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渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王书荣;  王圩;  朱洪亮;  张瑞英;  边静
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周宏伟;  董建荣;  王红梅;  曾一平;  朱占萍;  潘量;  孔梅影
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