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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Zhi Jiang ;   Yao-Yao Sun ;   Chun-Yan Guo ;   Yue-Xi Lv ;   Hong-Yue Hao ;   Dong-Wei Jiang ;   Guo-Wei Wang ;   Ying-Qiang Xu ;   Zhi-Chuan Niu
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Zhi Jiang;  Xi Han;  Yao-Yao Sun;  Chun-Yan Guo;  Yue-Xi Lv;  Hong-Yue Hao;  Dong-Wei Jiang;  Guo-Wei Wang;  Ying-Qiang Xu;  Zhi-Chuan Niu
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yan Jun-Da;  Wang Quan;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Jiang Li-Juan;  Yin Hai-Bo;  Feng Chun;  Wang Cui-Mei;  Qu Shen-Qi;  Gong Jia-Min;  Zhang Bo;  Li Bai-Quan;  Wang Zhan-Guo;  Hou Xun
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  乔彦彬;  冯士维;  马骁宇;  王晓薇;  郭春生;  邓海涛;  张光沉
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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