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分子束外延生长InGaN量子点及其结构和光学特性 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032
Authors:  王保柱;  颜翠英;  王晓亮
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自支撑GaN厚膜制备及其光学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
Authors:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
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MOCVD生长GaN力学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
Authors:  魏同波;  王军喜;  李晋闽;  刘酷;  段瑞飞
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用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2005, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 1849-1853
Authors:  孟焘;  朱贤方;  王占国
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快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 582-584
Authors:  边历锋;  江德生;  陆书龙
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低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2004, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 558-562
Authors:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响 期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 427
Authors:  杨瑞霞;  张富强;  陈诺夫
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质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜 期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 401
Authors:  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  廖梅勇;  陈诺夫;  王占国
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离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物 期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 289
Authors:  杨君玲;  陈诺夫;  刘志凯;  杨少延;  柴春林;  廖梅勇;  何宏家
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砷化镓晶片表面损伤层分析 期刊论文
稀有金属, 1999, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 241
Authors:  郑红军;  卜俊鹏;  曹福年;  白玉柯;  吴让元;  惠峰;  何宏家
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