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C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 979
Authors:  王引书;  李晋闽;  王玉田;  王衍斌;  林兰英
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预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响 期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329
Authors:  王引书;  李晋闽;  王衍斌;  王玉田;  孙国胜;  林兰英
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C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性 期刊论文
科学通报, 2000, 卷号: 45, 期号: 16, 页码: 1709
Authors:  王引书;  李晋闽;  王玉田;  孙国胜;  林兰英;  金运范
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不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征 期刊论文
物理学报, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210
Authors:  王引书;  李晋闽;  金运范;  王玉田;  林兰英
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Si-C系材料的生长及其性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1999
Authors:  王引书
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Si（100）面上3C-SiC的生长 期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 630
Authors:  王引书;  李晋闽;  张方方;  林兰英
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SiC单晶的生长及其器件研制进展 期刊论文
材料研究学报, 1998, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 233
Authors:  王引书;  李晋闽;  林兰英
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半导体SiC材料的外延生长 期刊论文
高技术通讯, 1998, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 59
Authors:  王引书;  李晋闽;  林兰英
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