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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 318
Authors:  夏永伟;  滕学公
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GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能 期刊论文
半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 131
Authors:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军;  王守武
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半导体光发射与探测耦合组件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军
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一种硅的光探测器件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  夏永伟;  李国花;  滕学公;  樊志军
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染色腐蚀多孔硅的光致可见光发光特性 期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 681
Authors:  夏永伟;  李国华;  滕学公;  樊志军
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薄膜SOI结构中反型厚度与薄膜厚度的关系 期刊论文
半导体学报, 1990, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 962
Authors:  夏永伟;  王守武
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MIS隧道器件电流-电压特性的数值模拟 期刊论文
半导体学报, 1989, 卷号: 10, 期号: 11, 页码: 822
Authors:  夏永伟;  Pananakakis G;  Kamarinos G
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