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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
超薄过渡金属硫族化合物缺陷和应力的拉曼光谱研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  石薇
Adobe PDF(12460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：818/31  |  提交时间：2016/06/01
拉曼光谱  过渡金属硫族化合物  二维纳米微晶  声子色散趋势  单轴应变  格林艾森常数  剪切形变势