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III-V族半导体材料自旋量子比特研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  郝宏玥
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锑化物红外探测器工艺制备与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2017
作者:  郝宏玥
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Yaoyao;  Han Xi;  Hao Hongyue;  Jiang Dongwei;  Guo Chunyan;  Jiang Zhi;  Lv Yuexi;  Wang Guowei;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan ⇑
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一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  郝宏玥;  王国伟;  向伟;  蒋洞微;  邢军亮;  徐应强;  牛智川
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一种雪崩光电二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  向伟;  王国伟;  徐应强;  郝宏玥;  蒋洞微;  任正伟;  贺振宏;  牛智川
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：628/8  |  提交时间：2016/08/30