中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
GaN材料掺杂特性及LED器件droop效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付丙磊
Adobe PDF(6373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1203/91  |  提交时间：2015/06/03
利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  冯向旭;  张宁;  刘乃鑫;  付丙磊;  朱绍歆;  张连;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1154/133  |  提交时间：2014/11/17