ALL
题名
作者
关键词
作品类型
发表时间
出版者
会议名称
刊名
收录类别
提交时间
资助者
项目名称
作者机构
高级检索
注册
Email
密 码
记住我
登录|提交
提交指南
关于系统
提交人
提交内容
提交步骤
传播许可
帮助
研究部门
学科主题
内容类型
期刊论文
学位论文
会议论文
专著
演示报告
成果
专利
其他
所有条目
所有作者
研究部门
中国科学院半导... [6]
半导体材料科学... [2]
作者
wang cu... [8]
wang xi... [8]
hu guox... [6]
li jinm... [5]
wang ju... [5]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
SEMI OpenIR
检索
帮助
检索到的条目:
8条检索结果中的1-8条条目
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
其他排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名
作者
发表日期▼
全文
Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate
[会议论文]
Wei M (Wei Meng)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Pan X (Pan Xu)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Zhang ML (Zhang Minglan)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
2011
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
[会议论文]
Pan X (Pan Xu)
;
Wei M (Wei Meng)
;
Yang CB (Yang Cuibai)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
2011
MOCVD-grown high-mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate
[期刊论文]
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
2007
Investigation of optical quenching of photoconductivity in high-resistivity GaN epilayer
[期刊论文]
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
2007
AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD
[期刊论文]
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Ma ZY (Ma Zhiyong)
;
Ran JX (Ran Junxue)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Mao HL (Mao Hongling)
;
Tang H (Tang Han)
;
Li HP (Li Hanping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Jinmin LM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
2007
Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure
[期刊论文]
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
2006
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC
[期刊论文]
Wang Xiaoliang
;
Hu Guoxin
;
Ma Zhiyong
;
Xiao Hongling
;
Wang Cuimei
;
Luo Weijun
;
Liu Xinyu
;
Chen Xiaojuan
;
Li Jianping
;
Li Jinmin
;
Qian He
;
Wang Zhanguo
2006
X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD
[期刊论文]
Wang Xiaoliang
;
Liu Xinyu
;
Hu Guoxin
;
Wang Junxi
;
Ma Zhiyong
;
Wang Cuimei
;
Li Jianping
;
Ran Junxue
;
Zheng Yingkui
;
Qian He
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
2005
1
版权所有 © 2007-2012
中国科学院半导体研究所
-
反馈
系统开发与技术支持:
中国科学院国家科学图书馆兰州分馆
(信息系统部)
本系统基于
MIT
和
Hewlett-Packard
的
DSpace
软件开发