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Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN [期刊论文]S.T. Liu; J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; F. Liang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; X. Li; W. Liu; L.Q. Zhang; H. Long; M. Li2017
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes [期刊论文]P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; H. Long; M. Li; J. Yang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; X. J. Li; W. Liu; X. Li; F. Liang; J. P. Liu; B. S. Zhang; H. Yang2017
Evolution of differential efficiency in blue InGaN laser diodes before and after a lasing threshold [期刊论文]X. LI; Z. S. LIU; D. G. ZHAO; D. S. JIANG; P. CHEN; J. J. ZHU; J. YANG; W. LIU; X. G. HE; X. J. LI; F. LIANG; S. T. LIU; Y. XING; L. Q. ZHANG; M. LI; J. ZHANG2017
Dual-Pulse Pump for Enhancing Supercontinuum Generation [期刊论文]N. Jia; H. T. Yan; M. Li2016

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