高级检索   注册
SEMI OpenIR

检索


检索到的条目: 9条检索结果中的1-9条条目

条数/页:   其他排序方式:
题名作者发表日期▼ 全文
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes [期刊论文]P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; H. Long; M. Li; J. Yang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; X. J. Li; W. Liu; X. Li; F. Liang; J. P. Liu; B. S. Zhang; H. Yang2017
Effects of Si-doping on field emission characteristics of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD [期刊论文]F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; Y. T. Zhang; G. T. Du2016
Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes [期刊论文]J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; L. Q. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du2016
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes [期刊论文]J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; J. J. Zhu; Z. S. Liu; L. C. Le; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; L. Q. Zhang; H. Yang2016
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD [期刊论文]F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; X. Li; S. T. Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du2016
The effectiveness of electron blocking layer in InGaN-based laser diodes with different indium content [期刊论文]X. Li; D. G. Zhao*; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; W. Liu; X. G. He; X. J. Li; F. Liang; L. Q. Zhang; J. P. Liu; H. Yang2016
XPS study of impurities in Si-doped AlN film [期刊论文]F. Liang; P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; Z. J. Zhao; Z. S. Liu; J. J. Zhu; J. Yang; L. C. Le; W. Liu; X.G. He; X. J. Li; X Li; S. T Liu; H. Yang; J. P. Liu; L. Q. Zhang; Y. T. Zhang; G. T. Du2016
Temperature dependence of photoluminescence spectra for green ligh emission from InGaN/GaN multiple wells [期刊论文]W. Liu; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; Z. S. Liu; J. J. Zhu; M. Shi; D. M.Zhao; X. Li; J. P. Liu; S. M. Zhang; H. Wang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T.Du2015
Optical and structural characteristics of high indium content InGaN/GaN multi-quantum wells with varying GaN cap layer thickness [期刊论文]J. Yang; D. G. Zhao; D. S. Jiang; P. Chen; J. J. Zhu; Z. S. Liu; L. C. Le; X. J. Li; X. G. He; J. P. Liu; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du2015

1

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发