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Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells’ position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes [期刊论文]P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; H. Long; M. Li; J. Yang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; X. J. Li; W. Liu; X. Li; F. Liang; J. P. Liu; B. S. Zhang; H. Yang2017
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes [期刊论文]P. Chen; D. G. Zhao; D. S. Jiang; J. J. Zhu; Z. S. Liu; J. Yang; X. Li; L. C. Le; X. G. He; W. Liu; X. J. Li; F. Liang; B. S. Zhang; H. Yang; Y. T. Zhang; G. T. Du2016

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