高级检索   注册
SEMI OpenIR

检索


检索到的条目: 44条检索结果中的1-10条条目

条数/页:   其他排序方式:
题名作者发表日期▼ 全文
4H-SiC同质外延层中的扩展缺陷研究 [期刊论文]闫果果; 孙国胜; 吴海雷; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 曾一平2011
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 [专利]赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平2008-10-8
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 [专利]孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉2008-8-13
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 [专利]刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平2008-3-26
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 [专利]孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉2008-1-2
一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 [专利]孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉2008-1-2
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 [专利]孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽2006-1-11
降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法 [专利]高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺2006-1-4
竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 [专利]孙国胜; 王雷; 赵万顺2005-11-30
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 [专利]王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺2005-11-16

1 2 3 4 5 下一页

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发