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平面型InGaAs/InPAPD边缘提前击穿行为的抑制 [期刊论文]肖雪芳; 杨国华; 王国宏; 王树堂; 陈良惠2006
半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体实现超短脉冲可见激光发展状况 [期刊论文]王勇刚; 马骁宁; 王树堂2004
高效发光二极管及其制造方法 [专利]王国宏; 马骁宇; 曹青; 王树堂; 李玉璋; 陈良惠1999-7-14
670nm半导体量子阱激光器批量生产 [成果]郭良; 马骁宇; 陈良惠; 王树堂; 李玉璋1999
决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素 [期刊论文]王国宏; 彭怀德; 马骁宇; 王树堂; 李玉璋; 陈良惠1998
LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管 [期刊论文]王国宏; 马骁宇; 曹青; 张玉芳; 王树堂; 李玉璋; 陈良惠1998
高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器 [期刊论文]熊飞克; 郭良; 马骁宇; 王树堂; 陈良惠1997
实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器 [期刊论文]熊飞克; 郭良科; 马骁宇; 杨志鸿; 王树堂; 陈良惠1996
低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用 [期刊论文]马骁宇; 王树堂; 熊飞克; 郭良; 王仲明; 曾靖; 王丽明; 陈良惠1996
MOCVD生长的平面型InGaAs/InP PIN光电探测器件 [期刊论文]杨志鸿; 王树堂; 曾靖; 朱龙德; 孙捷; 夏彩虹; 沈戎; 归强1993

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