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GaN 基 HEMT材料的新结构研究 [学位论文]毕杨2012
氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 [专利]王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑-

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