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含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 [学位论文]李巍2017-6-1
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 [专利]王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳-
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 [专利]王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉-
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 [专利]王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳-
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 [专利]王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉-

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