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分子束外延技术的研究 [成果]孔梅影; 孙殿照1985
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT [期刊论文]王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤2003
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 [期刊论文]黄大定; 刘超; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影2003
RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料 [期刊论文]胡国新; 王晓亮; 孙殿照; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英2003
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 [专利]黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影2002-10-16
射频等离子体发射光谱分析在分子束外延GaN生长中的应用 [期刊论文]杨冰; 蒲以康; 孙殿照2002
分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料 [期刊论文]孙殿照; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英2002
一种高温碳化硅半导体材料制造装置 [专利]李晋闽; 孙国胜; 朱世荣; 曾一平; 孙殿照; 王雷2001-12-19
半导体材料的华丽家族-氮化镓基材料简介 [期刊论文]孙殿照2001
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 [期刊论文]胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英2001

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