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分子束外延技术的研究 [成果]孔梅影; 孙殿照1985
MBE生长的跨导为186 mS/mm的AlGaN/GaN HEMT [期刊论文]王晓亮; 胡国新; 王军喜; 刘宏新; 孙殿照; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英; 刘新宇; 刘键; 钱鹤2003
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 [期刊论文]黄大定; 刘超; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影2003
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 [专利]黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影2002-10-16
粒子束辐照在AlGaAs/GaAs量子阱材料中引入的深能级缺陷 [期刊论文]廖志君; 林理彬; 黄万霞; 孔梅影2000
赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究 [期刊论文]王晓光; 常勇; 桂永胜; 褚君浩; 曹昕; 曾一平; 孔梅影2000
我国MBE GaAs基材料如何从实验室走向产业化 [期刊论文]孔梅影; 曾一平2000
Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method [期刊论文]林燕霞; 黄大定; 张秀兰; 刘金平; 李建平; 高飞; 孙殿照; 曾一平; 孔梅影2000
MBE生长的高质量AlGaAs/InGaAs双δ掺杂PHEMT结构的材料 [期刊论文]曹昕; 曾一平; 孔梅影; 王保强; 潘量; 张??; 朱战萍2000
衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 [期刊论文]于磊; 曾一平; 潘量; 孔梅影; 李晋闽; 李灵霄; 周宏伟2000

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