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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 [学位论文]刘胜北2018-1
4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 [学位论文]刘胜北2015-12-4
碳化硅材料腐蚀炉 [专利]董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北-
在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 [专利]郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平-
4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 [专利]刘斌; 孙国胜; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 刘胜北; 张峰; 赵万顺; 王雷; 曾一平-
沟槽型MOS势垒肖特基二极管 [专利]郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平-
沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 [专利]郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平-
一种半导体薄膜生长设备 [专利]刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平-
一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 [专利]刘兴昉; 刘斌; 郑柳; 董林; 刘胜北; 闫果果; 孙国胜; 曾一平-
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 [专利]刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平-

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