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作者:  Gao LP;  Han PD;  Mao X;  Fan YJ;  Hu SX;  Zhao CH;  Mi YH;  Han, PD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. pdhan@semi.ac.cn
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一种具备杂质深能级的晶体硅光伏电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183447.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  韩培德
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一种双结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531394.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  韩培德
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一种室温下高光电响应硅探测器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010191164.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  韩培德
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一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531371.4, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  韩培德
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一种宽谱光伏效应的双结太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256972.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  韩培德
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