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| 制作半导体台面侧向电流限制结构的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1997-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王圩; 王志杰; 张济志; 朱洪亮
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| 一种高频感应加热化学反应腔装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1997-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段树坤
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| 处理含砷及砷化合物的废气的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1997-01-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闻瑞梅; 刘任重; 邓礼生; 梁骏吾
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| MOPA器件的理论研究与可视化设计和模拟 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
作者: 陈昌华
Adobe PDF(5265Kb) | 收藏 | 浏览/下载：822/15 | 提交时间：2009/04/13 |
| 半导体低维结构中激子局域化的光学研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
作者: 袁之良
Adobe PDF(3899Kb) | 收藏 | 浏览/下载：885/31 | 提交时间：2009/04/13 |
| Two-dimensional numerical simulation of the channel electron in an In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.48As HEMT 会议论文
1997 IEEE HONG KONG ELECTRON DEVICES MEETING, PROCEEDINGS, HONG KONG, HONG KONG, 35672
作者: Zhang XH; Yang YF; Wang ZG; Zhang XH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu YN; Gu ZQ; Ching WY; Xu YN,Univ Missouri,Dept Phys,Kansas City,MO 64110 USA.
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| 砷化镓材料、器件与电路 成果
1997
主要完成人: 姚林生; 王占国; 夏冠群; 李爱珍; 孔梅影
收藏 | 浏览/下载：1333/0 | 提交时间：2010/04/13
砷化镓 |
| 大功率半导体量子阱激光器 成果
1997
主要完成人: 肖建伟; 陈良惠; 杨国文; 徐遵图; 徐俊英
收藏 | 浏览/下载：4410/0 | 提交时间：2010/04/13
大功率 |
| 长波长分布反馈激光器 成果
1997
主要完成人: 王圩; 张静媛; 朱洪亮; 张济志; 汪孝杰
收藏 | 浏览/下载：1084/0 | 提交时间：2010/04/13
分布反馈激光器 |
