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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JT (Liu Jiang-Tao);  Chang K (Chang Kai);  Liu, JT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Ma XY;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangjun@semi.ac.cn
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1022/371  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Ma XY;  Cao L;  Wu DJ;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Dev, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangjun@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(171Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：854/267  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Bai YM (Bai Yi-Ming);  Cao L (Cao Li);  Wu DJ (Wu Da-Jin);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1233/486  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin JS;  Li XQ;  Jin, JS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(112Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：741/215  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, JS;  Li, XQ;  Li, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xqli@red.semi.ac.cn
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Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration 会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhang, YH;  Li, CJ;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(230Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1250/312  |  提交时间：2010/03/29
Deep-level Defects  Fe-doped Inp  Grown Inp  Spectroscopy  Resonance  Wafer  
The plasmon resonance absorption of Ag/SiO2 nanocomposite films 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Yang L;  Liu YL;  Wang QM;  Shi HZ;  Li GH;  Zhang LD;  Yang L Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ag/sio2 Nanocomposite Film  Plasmon Resonance Absorption  Mie Theory  Surface Resonance State  Quantum Size Effect  Image-potential States  Optical-properties  Surfaces  Lifetimes  Particles  Electron  Ag  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  An L;  Tang Y;  Zhang JD;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhaeng HZ;  An L,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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