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Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:  Wang HL;  Feng SL;  Zhu HJ;  Ning D;  Chen F;  Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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Inas/gaas Quantum Dots  Self-assembled Structure  Dlts  Pl  Band Offset  Energy-levels  Carrier Relaxation  Spectroscopy