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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1744/520  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang;  H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Jia QJ;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1789/452  |  提交时间：2010/04/04
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Cho YH;  Dai ZH;  Wang WT;  Wang H;  Wang LL;  Zhang SM;  Yang H;  Sun, YP, Yantai Univ, Inst Sci & Technol Optoelect Informat, Yantai 264005, Peoples R China. ypsun@ytu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Wang LL;  Sun X;  Zhu JH;  Liu WB;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Zhao DG;  Liu ZS;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1057/297  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhang SM;  Liang JW;  Li X;  Li XY;  Gong HM;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(68Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1500/646  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Wang YT;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Zhang SM;  Wu RH;  Jia QJ;  Zheng WL;  Jiang XM;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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