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P型GaN材料生长及性能表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  liushuangtao
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Mocvd  P-gan  退火  Mg受主激活  
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
Adobe PDF(12727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1002/90  |  提交时间：2016/06/02
Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
Adobe PDF(2499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：870/52  |  提交时间：2015/06/02
Gan  Mocvd