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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [9]
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Wang, XL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1822/347
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提交时间:2010/03/29
Molecular-beam Epitaxy
2-dimensional Electron-gas
Bulk Gan
Optimization
Layers
Hemts
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1369/302
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提交时间:2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy
Layers
Aln
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe
会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:
Li DZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Wang HJ
;
Yu Z
;
Zhang CH
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1139/204
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提交时间:2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition
Sige
Refractive High Energy Electron Diffraction
Tansmission Electron Microscopy
Double Crystal X-ray Diffraction
Mobility 2-dimensional Electron
Critical Thickness
Strained Layers
Ge
Relaxation
Epilayers
Si1-xgex
Gesi/si
Gases
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Peng CS
;
Chen H
;
Zhao ZY
;
Li JH
;
Dai DY
;
Huang Q
;
Zhou JM
;
Zhang YH
;
Tung CH
;
Sheng TT
;
Wang J
;
Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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浏览/下载:1468/311
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提交时间:2010/11/15
Threading Dislocation
Si(100)
Layers
Films
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Liu XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:885/0
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提交时间:2010/11/15
Layers
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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提交时间:2010/11/15
Electrical-properties
Ion-implantation
Regrowth
Silicon
Layers