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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Wei QX
;
Ren ZW
;
He ZH
;
Niu ZC
;
Wei QX Shanxi Univ Dept Phys Taiyuan 030006 Peoples R China. E-mail Address: qx.wei@163.com
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu Q
;
Wei TB
;
Duan RF
;
Yang JK
;
Huo ZQ
;
Lu TC
;
Zeng YP
;
Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: lutiecheng@scu.edu.cn
;
ypzeng@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1322/305
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao JZ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhang Y
;
Lu YJ
;
Lu W
;
Wang ZG
;
Chen H
;
Zhao JZ Shandong Univ Sch Phys Jinan 250100 Peoples R China. E-mail Address: linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:1237/341
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang Z
;
Zhang R
;
Xie ZL
;
Liu B
;
Li M
;
Fu DY
;
Fang HN
;
Xiu XQ
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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浏览/下载:1266/336
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen R
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu
;
JZ
;
Zhu XF
;
Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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浏览/下载:1176/278
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提交时间:2010/04/04
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cheng YB
;
Wang Y
;
Sun Y
;
Pan JQ
;
Bian J
;
An X
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Cheng YB Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ybcheng@semi.ac.cn
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浏览/下载:1153/302
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG
;
Jiang DS
;
Liu ZS
;
Zhu JJ
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:894/281
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, ZY
;
Hogg, RA
;
Xu, B
;
Jin, P
;
Wang, ZG
;
Zhang, ZY, Univ Sheffield, Dept Elect & Elect Engn, Sir Frederick Mappin Bldg,Mappin St, Sheffield S1 3JD, S Yorkshire, England. 电子邮箱地址: ziyang.zhang@shef.ac.uk
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浏览/下载:1072/360
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提交时间:2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1864/329
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提交时间:2010/03/09
Gas Sensors
Hemt Structures
Mobility
Temperature
Transistors
Growth
Mocvd
Layer