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中国科学院半导体研究所机构知识库
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InGaN/GaN多量子阱太阳能电池研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
smliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:915/42
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提交时间:2017/06/05
Ingan/gan
多量子阱
太阳能电池
光电转换效率
宽禁带半导体材料光学性质的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
刘雅丽
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浏览/下载:1270/64
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提交时间:2016/06/03
Algan/algan 量子阱
Gan/aln量子点
半导体金刚石
深紫外光致发光
激子-声子作用
激子局域化
硅衬底氮化镓材料制备生长研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:
冯玉霞
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浏览/下载:1004/99
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提交时间:2015/06/02
Si衬底
Aln
Gan
生长机制
应力
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
陶东言
Adobe PDF(5924Kb)
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浏览/下载:796/36
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提交时间:2015/05/29
稀磁半导体
Gan
Gasb
表面钝化
肖特基器件
Al(Ga)N材料光致发光性质研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:
王维颖
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浏览/下载:1099/89
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提交时间:2014/06/03
Algan
深紫外光致发光
高温热退火
Gan/algan量子阱
界面粗糙
偏振特性
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
;
Lv, YJ, Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China. linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:3570/1501
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui M
;
Zhou TF
;
Wang MR
;
Huang J
;
Huang HJ
;
Zhang JP
;
Xu K
;
Yang H
;
Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, tfzhou2007@sinano.ac.cn
;
kxu2006@sinano.ac.cn
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浏览/下载:1586/438
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
;
Lin, ZJ, Shandong Univ, Sch Phys, Jinan 250100, Peoples R China. linzj@sdu.edu.cn
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浏览/下载:1260/387
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi K
;
Li DB
;
Song HP
;
Guo Y
;
Wang J
;
Xu XQ
;
Liu JM
;
Yang AL
;
Wei HY
;
Zhang B
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Shi, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. shikai@semi.ac.cn
;
lidb@ciomp.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1912/418
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BA
;
Song HP
;
Wang J
;
Jia CH
;
Liu JM
;
Xu XQ
;
Liu XL
;
Yang SY
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Zhang, BA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhangbiao@semi.ac.cn
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浏览/下载:1419/389
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提交时间:2011/07/05