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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [1]
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2009 [1]
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资助机构：National 863 project 2007AA03Z417 2006AA01Z256 2007AA03Z419 National 973 Program of China 2006CB604901 2006CB604902 National Natural Science Foundation of China 90401025 607360366070600960777021The authors would like to thank BaoJun Wang, Fan Zhou, JiaoQing Pan, HuiYun Shu for their experimental help, and LuFeng Wang, Jing Bian, Xin An for their support on the device test. This work is supported in part by the National 863 project (Grant Nos. 2007AA03Z417, 2006AA01Z256, 2007AA03Z419), in part by the National 973 Program of China (Grant No. 2006CB604901, 2006CB604902) and in part by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 90401025, 60736036, 60706009, 60777021).
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作者:
Wang H
;
Zhu HL
;
Chen XF
;
Kong DH
;
Wang LS
;
Zhang W
;
Liu Y
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan21@semi.ac.cn
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提交时间：2010/03/08
