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含铟GaN基HEMT结构的理论模拟及场板影响研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李巍
Adobe PDF(3778Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：863/58  |  提交时间：2017/06/05
氮化镓  铟铝氮  高电子迁移率晶体管  二维电子气  电流崩塌