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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  张望
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纳米线晶体管  Soi图形衬底  水平iii-v族纳米线  界面态  变温电学特性  
基于浓硼扩散工艺的硅纳米线热电结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  邓凌霄
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硅纳米线  热电优值  塞贝克系数  热导率