|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| II-VI族三元光伏材料ZnSeTe的生长与物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 任敬川
 Adobe PDF(3047Kb) |  收藏 | 浏览/下载：604/12 | 提交时间：2016/06/03
Ii-vi族半导体 分子束外延 Znsete 单晶薄膜 掺杂 |
| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘广政
Adobe PDF(6805Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1577/100 | 提交时间：2016/06/03
Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 何超
Adobe PDF(7728Kb) | 收藏 | 浏览/下载：825/54 | 提交时间：2016/06/02
Si 基发光器件 Ge/si 量子点 Ge/sige 量子阱 Ge 薄膜 |
| 锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 黄文奇
Adobe PDF(4288Kb) | 收藏 | 浏览/下载：633/34 | 提交时间：2016/06/02
四族合金半导体 能带调控 第一性原理 |
| 离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 王浩林
Adobe PDF(7785Kb) | 收藏 | 浏览/下载：814/130 | 提交时间：2016/07/07
六方氮化硼 二维原子晶体 离子束溅射沉积 衬底 大尺寸晶畴 |
| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 杜文娜
Adobe PDF(6743Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1048/56 | 提交时间：2016/05/31
Inassb纳米线 生长机制 平面纳米线 纳米线阵列 金属有机化学气相沉积 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 黄宇亮
Adobe PDF(3699Kb) | 收藏 | 浏览/下载：600/121 | 提交时间：2016/06/06 |
| 绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘炜
Adobe PDF(3916Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1045/66 | 提交时间：2016/06/01 |
| 宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘雅丽
Adobe PDF(5504Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1273/64 | 提交时间：2016/06/03
Algan/algan 量子阱 Gan/aln量子点 半导体金刚石 深紫外光致发光 激子-声子作用 激子局域化 |
| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
Adobe PDF(12727Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1002/90 | 提交时间：2016/06/02
Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
