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Influence of In0.2Ga0.8As strain-reducing layer on the active region of quantum dot superluminescent diodes 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang ZY;  Li CM;  Jin P;  Meng XQ;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Spectrum  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Si-GaAs中El2的光淬灭效应及有关深能级行为的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1992
作者:  徐波
Adobe PDF(2840Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：670/15  |  提交时间：2009/04/13