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AlInAsSb高倍增低暗电流雪崩光电二极管 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
Authors:  吕粤希
Adobe PDF(12185Kb)  |  Favorite  |  View/Download:165/36  |  Submit date:2018/06/01
分子束外延  Alinassb  数字合金  雪崩光电二极管  
CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
Authors:  相琳琳
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第一性原理计算  电子结构性质  单轴应变  Ii-vi族半导体材料  纳米线  
中红外波段GaSb基激光器的材料生长与器件制备 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
Authors:  柴小力
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窄带隙半导体  锑化镓量子阱  中红外激光器  分子束外延  Dbr光栅  
稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
Authors:  魏冠男
Adobe PDF(3997Kb)  |  Favorite  |  View/Download:339/11  |  Submit date:2016/12/05
硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  刘广政
Adobe PDF(6805Kb)  |  Favorite  |  View/Download:794/85  |  Submit date:2016/06/03
Gaas/si  Gaas/ge  两步法  四步法  量子点  激光器  
无权访问的条目 学位论文
Authors:  田迎冬
Adobe PDF(19612Kb)  |  Favorite  |  View/Download:619/28  |  Submit date:2016/06/01
InAs/GaAs单量子点荧光效率的提高及波长的调谐 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  苏丹
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Inas/gaas单量子点  金纳米颗粒  荧光增强  单轴应力  流体静压  
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  陈卉
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纳米半导体材料  本征缺陷  掺杂原子  电子性质  磁性  应变  第一性原理计算  
无权访问的条目 学位论文
Authors:  任鹏
Adobe PDF(6255Kb)  |  Favorite  |  View/Download:277/17  |  Submit date:2016/05/30
低维金属硫族化合物的制备与光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  范超
Adobe PDF(5145Kb)  |  Favorite  |  View/Download:852/34  |  Submit date:2015/05/26
低维金属硫族化合物  水热法  Cvd法  Mose2  Mos2  Sns2