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| Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者: Wei M (Wei Meng); Wang XL (Wang Xiaoliang); Pan X (Pan Xu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Zhang ML (Zhang Minglan); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang LJ; Wang XL; Xiao HL; Wang ZG; Yang CB; Zhang ML
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang XB; Wang XL; Xiao HL; Yang CB; Hou QF; Yin HB; Chen H; Wang ZG; Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. soffeezxb@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰; 杨瑞霞; 王晓亮; 胡国新; 高志
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰; 王晓亮; 杨瑞霞; 胡国新
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| 用于金属有机物化学沉积设备的扇形进气喷头 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033960.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 殷海波; 张露; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的衬托盘及其制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033965.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 殷海波; 王晓亮; 胡国新; 冉军学; 肖红领; 张露; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的气路装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033967.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的加热装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033964.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡国新; 王晓亮; 冉军学; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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| 用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010033962.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 张露; 殷海波; 李晋闽
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