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| 连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-03, 2010-08-12
发明人: 陈彦超; 赵柏秦; 吴铁中; 任岩峰; 韩 海
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| 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵超; 徐波 ; 陈涌海; 金鹏; 王占国
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| 蓝宝石图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 段瑞飞; 季安; 伊晓燕; 王莉; 樊中朝; 郭金霞; 潘岭峰; 黄亚军; 赵冀; 李镇
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| 半导体发光器件或模组在线多功能测试系统及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人: 赵丽霞; 周子超; 杨华; 王军喜; 李晋闽
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| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华
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| 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 朱石超; 赵丽霞; 于治国; 孙雪娇; 王军喜; 李晋闽
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| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 一种半导体超短脉冲高重频激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 郑婉华; 赵鹏超; 王宇飞; 周旭彦; 林羽喆
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