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| 一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人: 闫发旺; 高海永; 张 扬; 张会肖; 李晋闽; 曾一平; 王国宏
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| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬
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| 一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘媛媛; 方高瞻; 马骁宇
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| 一种二极管激光泵浦头 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘媛媛; 方高瞻; 李伟; 马骁宇
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| 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高永海; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu L; Chen NF; Bai YM; Cui M; Zhang H ; Gao FB; Yin ZG; Zhang XW; Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu L; Chen NF; Wang Y; Bai YM; Cui M; Gao FB; Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾凡平; 韩培德; 高利朋; 冉启江; 毛雪; 赵春华; 米艳红
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘磊; 陈诺夫; 汪宇; 白一鸣; 崔敏; 高福宝
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| 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 闫发旺; 高海永; 张扬; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖
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