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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Yang Z;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Panev N;  Pistol ME;  Zwiller V;  Samuelson L;  Jiang W;  Xu B;  Wang Z;  Panev N,Univ Lund,Box 118,S-22100 Lund,Sweden.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Wang JZ;  Xu B;  Wang ZG;  Yang Z;  Ye XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix 会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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Znse/gaas Interface  States  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li H;  Wang Z;  Liang J;  Xu B;  Wu J;  Gong Q;  Jiang C;  Liu F;  Zhou W;  Li H,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hxli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen YH;  Yang Z;  Wang ZG;  Xu B;  Liang JB;  Qian JJ;  Chen YH,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Phys,Clear Water Bay,Kowloon,Hong Kong.
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：912/273  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨斌;  王占国;  陈涌海;  梁基本;  廖奇为;  林兰英;  朱战萍;  徐波;  李伟
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