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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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使用硅阵列孔装配微丝电极阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人:  陈弘达;  朱 琳;  裴为华;  张 旭
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在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人:  高福宝;  陈诺夫;  吴金良;  刘 磊 
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单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  刘 磊;  陈诺夫;  曾湘波;  张 汉;  吴金良;  高福宝
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采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
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光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
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双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑婉华;  王科;  任刚;  杜晓宇;  邢名欣;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH;  Li W;  Wang LX;  Chen SF;  Ke JH;  Zhang YL;  Wen JM;  Liu Y;  Wang X;  Yan HQ;  Xie L;  Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn;  liwei05@semi.ac.cn;  lxwang@semi.ac.cn;  sfchen@semi.ac.cn;  jhke@semi.ac.cn;  ylzhang@semi.ac.cn;  jmwen@semi.ac.cn;  yliu@semi.ac.cn;  wxin@semi.ac.cn;  Xiel@semi.ac.cn
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Demonstration of high efficient tunable lasing with one photonic crystal W1 waveguide 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Zheng WH (Zheng Wanhua);  Xing MX (Xing Mingxin);  Chen;  W (Chen Wei);  Zhou WJ (Zhou Wenjun);  Liu AJ (Liu Anjin);  Wang HL (Wang Hailing);  Chen LH (Chen Lianghui)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Zhu NH;  Man JW;  Xiong S;  Xie L;  Chen W Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wchen@semi.ac.cn
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