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| 具有梯度带隙势垒吸收层的光泵浦垂直外腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-17, 2010-08-12
发明人: 黄祖炎; 宋国锋; 王 青; 韦 欣; 陈良惠
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| 连续可调纳秒级窄脉冲半导体激光器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-03, 2010-08-12
发明人: 陈彦超; 赵柏秦; 吴铁中; 任岩峰; 韩 海
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| 用于高倍聚光太阳电池系统的软键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人: 崔 敏; 陈诺夫; 王彦硕; 白一鸣
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| 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人: 梁凌燕; 叶小玲 ; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu NH; Li W; Wang LX; Chen SF; Ke JH; Zhang YL; Wen JM; Liu Y; Wang X; Yan HQ; Xie L; Zhu NH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoclect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn; liwei05@semi.ac.cn; lxwang@semi.ac.cn; sfchen@semi.ac.cn; jhke@semi.ac.cn; ylzhang@semi.ac.cn; jmwen@semi.ac.cn; yliu@semi.ac.cn; wxin@semi.ac.cn; Xiel@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Dong JJ; Song XM; Yin ZG; Chen NF; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Cai PF; Dong JJ; Gao Y; Yin ZG; Chen NF; Wang RZ; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen L; Yan S; Xu PF; Lu J; Wang WZ; Deng JJ; Qian X; Ji Y; Zhao JH; Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈媛媛; 李艳萍; 余金中
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