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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 张硕
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| Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 张硕
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Aln 溅射法 Si（100）衬底 氧污染 椭偏测量 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Nan Guan; Xing Dai; Agnès Messanvi; Hezhi Zhang; Jianchang Yan; Eric Gautier; Catherine Bougero; François H. Julien; Christophe Durand; Joël Eymery; Maria Tchernycheva
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu, L; Zhang, Y; Gui, MY; Lu, PZ; Zhao, LX; Tian, S; Kong, YF; Xu, JJ
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨其长; 徐志刚; 陈弘达; 泮进明; 魏灵玲; 刘文科; 周泓; 刘晓英; 宋昌斌
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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕 ; 王国宏
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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